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    • 专利摘要:
    揭露一種製造一太陽能電池的方法。該方法包括以下步驟，於一矽晶基板上形成一犧牲層，於該犧牲基板頂部形成一摻雜矽晶層，於該摻雜矽晶層頂部形成一矽晶薄膜，於該矽晶薄膜上形成複數個交叉指形接觸點，將該等複數個交叉指形接觸點的每一者與一金屬接觸點接觸，以及將該犧牲層移除。
    公开号:TW201301550A
    申请号:TW101110361
    申请日:2012-03-26
    公开日:2013-01-01
    发明作者:Seung-Bum Rim；Michael Morse；Tae-Seok Kim；Michael J Cudzinovic
    申请人:Sunpower Corp；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    薄矽晶太陽能電池及其製造方法 發明領域
    在此描述的本標的之實施例一般係關於太陽能電池製造方法。更精確地，本標的之實施例係關於薄矽晶太陽能電池與其製造方法之技術。 發明背景
    太陽能電池為眾所周知用以轉換太陽能輻射為電能的裝置。可使用半導體加工技術於一半導體晶圓上製造太陽能電池。太陽能電池包括P型與N型擴散區域。太陽能輻射撞擊於太陽能電池上，產生了電子與電洞，其遷移至擴散區域，因而於擴散區域之間產生了電壓差動。於一背接觸點中，背接觸背結太陽能電池(BCBJ)，P型與N型擴散區域與耦接至P型與N型擴散區域的金屬接觸點位於太陽能電池的背側。金屬接觸點允許外部電子電路耦接至該太陽能電池且藉由該太陽能電池啟動。
    為了與市場上其他的能源來源競爭，太陽能電池不只必須效率高，且必須以相對低的成本與相對高的產量製造。雖然太陽能電池亦可使用矽晶加工步驟製造，在一晶圓已經產生之後，必須於該矽晶晶圓上發生執行的操作。產生用於太陽能電池的矽晶晶圓通常可包括，例如：形成一矽晶材料、將該矽晶材料塑型成為一矽晶錠、且將矽晶錠切片以形成矽晶晶圓。本發明的實施例係涉及一種全新的太陽能電池製造程序與結構，且此程序與結構降低太陽能電池製造的成本。 發明概要
    揭露一種製造太陽能電池的方法。該方法包括以下步驟，於一矽晶基板上形成一犧牲層、於該犧牲基板頂部形成一摻雜矽晶層、於該摻雜矽晶層頂部形成一矽晶薄膜、於該矽晶薄膜上形成複數個交叉指形接觸點、將每一個該等複數個交叉指形接觸點與一金屬接觸點接觸、以及將該犧牲層移除。
    揭露另一種製造一太陽能電池的方法。該方法包含以下步驟，於一矽晶基板上形成一犧牲層、將該犧牲層的暴露表面加工以形成一紋理化表面，於該犧牲基板上的紋理化表面頂部形成一重度摻雜矽晶層、於該重度摻雜矽晶層頂部形成一較少摻雜矽晶薄膜、於該較少摻雜矽晶層頂部磊晶地成長一矽晶薄膜、於該矽晶薄膜頂部形成一交叉指形接觸點結構、將該矽晶薄膜接合至一載體、藉由將該犧牲層移除而將該重度摻雜矽晶薄膜從該矽晶基板分離、將該矽晶薄膜從該載體剝離、以及於該重度摻雜矽晶層上方形成一抗反射塗層。
    揭露另一種製造一太陽能電池的方法。該方法包含於一矽晶基板上形成一犧牲層、於該犧牲基板頂部形成一摻雜矽晶層、於該摻雜矽晶層頂部形成一矽晶薄膜、於該矽晶薄膜上形成複數個交叉指形接觸點、以及將該摻雜矽晶薄膜從該矽晶基板分離。
    提供此本發明概要以簡化的形式介紹概念的選擇，將更進一步的在以下的詳細說明中描述此概念。本發明概要並非意欲界定請求標的之關鍵特徵或必要特徵，亦非意欲用以做為輔助判定請求標的之範圍。 圖式簡單說明
    當與以下圖示一併考慮時，藉由參照詳細說明與申請專利範圍可更完整的理解本標的，其中在所有圖示中類似的標號係指類似的元件。
    第1圖為根據本發明之一實施例的一薄膜矽晶太陽能電池之剖視圖；第2至11圖為根據本發明之一實施例製造的一太陽能電池剖視表示；以及第12至13圖為根據本發明另一實施例之製造步驟的剖視代表。 較佳實施例之詳細說明
    以下的詳細敘述僅為例示性質，而非意欲限制本標的或應用的實施例，以及使用此等實施例。如在此使用的用字「示範性」代表「作為一個範例、例如、或例示說明」。作為範例之任何在此描述之實施，不必要被解釋為相對其他實施為最佳的或有利的。更進一步的，並無意圖藉由任何先前的技術領域、背景、簡短的概要、或以下的詳細說明中所呈現之明確或隱含的理論來約束。
    一種用以降低製造一太陽能電池成本的技術，可省略於傳統的太陽能光伏電池加工期間，為了產生矽晶晶圓之必要加工的步驟。為了省略晶圓產生步驟，形成太陽能電池主體的矽晶基板可連同構成一太陽能光伏電池的其他構件，於一材料的一犧牲層上共同磊晶成長，該矽晶基板將形成該太陽能電池的主體。接著可移除犧牲層，從該形成平台上將完全成長的太陽能電池拆離。
    相關於顯示於第2至13圖中製造技術的各種工作，可包括任何數量之附加或替代性工作，顯示於第2至13圖的製造不必以例示的順序執行，且製造程序可併入一個具有未於此詳細描述的附加功能之更廣泛的加工或程序之中。
    第1圖例示形成有一薄矽晶基板10的一個太陽能電池。該太陽能電池包含該薄矽晶基板10、一輕度摻雜區域20、一重度摻雜區域30、一抗反射塗層(ARC)40、以及一接觸點結構50。該太陽能電池具有一第一向陽側4，其於正常操作期間面對太陽，以及一第二背向側6，其背對太陽。可以理解該薄矽晶基板10的向陽側的表面、輕度摻雜與重度摻雜區域20、30、以及ARC40具有隨機的紋理化表面，此紋理化表面增進了太陽能電池1捕捉由向陽側4所接收之光線的性能。此等紋理化表面可具有隨機形狀，諸如藉由濕蝕刻帶有表面缺陷之一材料，或重複幾何形狀，諸如三角形或矩形角錐形狀。
    該接觸點結構50可包括於一薄氧化層52頂部形成交錯的N與P摻雜區域54、56。該N與P摻雜區域54、56可藉由諸如一氧化或聚亞醯胺或其他絕緣材料的一絕緣層58所覆蓋。可於該絕緣層58的一個孔中形成一接觸點60，其係提供電性接觸予每一摻雜區域54、56。如實施例所需，該接觸點60可為一單一金屬，諸如銅或鋁，或一疊包括鎢的不同金屬，以下將更詳細的解釋。如例示於第1圖中的實施例所顯示，太陽能電池1可形成為一背接觸背結(BCBJ)太陽能電池。如實施例所需，太陽能電池1可包括任何各種不同的接觸點結構50，包括不同配置的摻雜區域54、56以及鈍氧化物。薄矽晶基板10的形成可藉由從一基板上的一犧牲層頂部往上朝向太陽能電池1的向陽側4成長層體而完成。於某些實施例中，可於製造期間省略ARC層40，且於之後再施用。
    第2至11圖例示一種太陽能電池，諸如第1圖的實施例中的那些，使用一種磊晶成長技術製造一薄矽晶太陽能電池的連續步驟。
    第2圖例示一矽晶基板100。該矽晶基板100可由純矽或可由摻雜矽或化合矽來組成。該矽晶基板100具有一上表面102。該矽晶基板100可為製造程序之一可重複使用部份。於某些實施例中，如以下關於第12與13圖之更詳細描述，該矽晶基板100可包括複數個薄層。
    如第3圖所顯示，可於該矽晶基板100的該上表面102上形成一犧牲層110。該犧牲層110可由多孔矽組成，諸如於帶有偏差之一氫氟酸槽中形成。可替代的，犧牲層110可為例如帶有鍺摻雜且/或一碳摻雜之矽晶，其中之一者可藉由磊晶沉積或一化學氣相沉積(CVD)程序形成。如於整個過程中使用，一個CVD程序係指任何CVD的變形，諸如大氣壓力CVD(APCVD)、電漿增強CVD(PECVD)、低壓CVD(LPCVD)等等。用於任何特定製造步驟之該所欲CVD程序，可由習於此技藝者選擇與使用。亦可使用除了鍺與碳之外的其它摻雜劑。犧牲層110可為薄的，大約於700毫米之層級，雖然犧牲層可輕微地或顯著地較大或較小，如於特定實施例所欲，而執行在此描述之功能。例如，於某些實施例中，犧牲層可為10毫米薄。亦可使用較小的厚度。
    第4圖例示在一隨機紋理化步驟後的該犧牲層110，隨機紋理步驟諸如以溼或乾蝕刻程序，包括緩衝氧化蝕刻(BOE)以產生一上紋理化表面114。雖然於其他實施例中亦可使用其他蝕刻劑，一種可以使用的蝕刻劑為氫氧化鉀(KOH)。犧牲層110的紋理化表面114因而不具有一平面形狀。於某些實施例中，紋理不包括底下的矽晶基板100之暴露，雖然於某些實施例中，該矽晶基板100若需要可透過犧牲層110暴露。該犧牲層110的該紋理化表面114可具有一規則且重複的圖型，諸如三角形或矩形角錐，或可具有一隨機決定之圖型。於某些案件中，於後續程序期間，犧牲層110可維持紋理化表面114的形狀。
    如第5圖所顯示，可於該紋理化表面114頂部形成一摻雜矽晶層120。該摻雜矽晶層120可為使用任何所欲之CVD程序而沉積。該摻雜矽晶層可為N+摻雜且具有介於0.01至5毫米之間的厚度。於某些實施例中，可以鍺摻雜該摻雜矽晶層120。於某些實施例中，摻雜劑濃度可大約為每立方公分1x1017原子，而較少或較多的濃度，至多可達每立方公分1x1020原子，或者亦可使用更高的濃度。
    於某些實施例中，可於摻雜矽晶層120上形成另一矽晶的摻雜層(一N+層124)。第6圖例示該N+層124的形成。並非所有實施例都將包括該N+層，但於此如此例示。該N+層124可諸如透過CVD技術或使用一磊晶成長技術沉積。該N層124可由一矽化鍺合成物或矽化銅材料組成。
    相較於該較厚N+層124，該摻雜矽晶層120可被重度摻雜，通常被稱為一N++摻雜層。於某些實施例中，N+層120可被稱做為一輕度摻雜層，相較於較高摻雜摻雜矽晶層120來表示。於某些實施例中，N+層124可為相對多孔的。於某些實施例中，可將無摻雜矽晶沉積在摻雜矽晶層120頂部。可使用一後續的加溫步驟以驅動摻雜劑從該摻雜矽晶層120進入該N+層124，形成一相對低摻雜的N+層124。該N+層124出現時可為介於0.05與1毫米厚度。
    第7圖例示一矽晶薄膜130於該N+層124頂部之成長，或者當該N+層省略時，於該摻雜矽晶層120頂部成長。該矽晶薄膜130相較於完成的太陽能電池整個結構中的附加層可為相對厚的。其相較於基板100或一傳統太陽能電池晶圓亦可為相對薄的。藉由一磊晶沉積程序成長之一矽晶薄膜，亦可被稱做為一薄矽晶薄膜、一薄矽晶基板、該磊晶成長基板、或更一般地稱為一成長矽晶層。可藉由一磊晶成長程序形成該矽晶薄膜130，將一多晶矽晶結構於該N+層124的該暴露表面上播種並擴散。該矽晶薄膜130可為輕N+摻雜，諸如一矽化鍺基板或一矽化碳基板，該矽晶薄膜130於某些實施例中可為一純矽晶基板。於特定實施例中，該矽晶薄膜130可為多孔矽。一般來說，該矽晶薄膜130的特定的組成可為矽晶、或一些摻雜矽晶材料、或一協同製造之該太陽能電池的剩下元件，足以如光伏太陽能電池基板運作的矽晶之化合物。
    於某些實施例中，一溫度加熱步驟可隨著在此描述之任何層或基板的磊晶成長之後，包括該矽晶薄膜130的成長以燒結。該矽晶薄膜130可以一CVD加工步驟形成。該矽晶薄膜130可介於20至150毫米厚，且於某些實施例中可為50毫米厚。於某些實施例中，該矽晶薄膜130以一程序形成，此程序減少了其後側上的表面紋理。因此當該摻雜矽晶層120與N+層124可為相對共形，該矽晶薄膜130的厚度可導致該暴露表面平面化，造成一相對平坦的後表面。
    第8圖例示於該矽晶薄膜130的該暴露表面上的一接觸點結構140之形成。該確切接觸點結構140可於實施例之間改變。例如，於特定實施例中，該接觸點結構可包括一交叉指形摻雜多晶矽區域。該例示實施例顯示分別交錯摻雜之N型與P型多晶矽區域144與146。此外，如Swanson的美國專利第7,468,485號以及第7,633,006號中所述，可於該矽晶薄膜130與該摻雜多晶矽區域144、146之間出現一薄氧化層142，該等專利完整的全體在此併入參考文獻。該薄氧化層142可作用為一穿隧氧化層，於載體傳輸至摻雜多晶矽區域144、146期間抑制重組。該摻雜多晶矽區域144、146可使用印刷、遮罩、以及蝕刻技術形成，諸如但不限於Smith的美國專利第6,998,288號與第7,135,350號，以及De Ceuster的美國專利第7,820,475號中所描述者，該等專利完整的全體在此併入參考文獻。
    可於該摻雜多晶矽區域144上方形成一絕緣層148，包括在其之間的凹槽。除了一單一例示之絕緣層148，於其他不同實施例中亦可形成其他絕緣層。例如，於特定實施例中，矽化氮或另一背側ARC可作為形成該接觸點結構140之該程序的一部分。亦可於接觸點結構140形成的期間形成其他鈍化或絕緣層。可於該絕緣層148中開啟一個或多個接觸點孔或介層孔，以允許一個與該摻雜多晶矽區域144、146電性地接觸之接觸點插頭150的形成。於特定實施例中，該接觸點孔或介層孔可以一遮罩或蝕刻程序開啟，如習知技術所知，而在其他可使用一雷射程序開啟。類似的，雖然被稱為一接觸點插頭150，該接觸點插頭150可被稱為許許多層積的材料，諸如於Mulligan的美國專利第7,388,147號中所描述者，該專利完整的全體在此併入參考文獻。
    於某些實施例中，該接觸點結構140可為一完全地不同的種類，諸如在De Ceuster等的美國專利申請號第11/492282號，公開為美國專利公開號第2008/0017243中所描述者，該專利完整的全體在此併入參考文獻。不管該接觸點結構140的特定部件、元件或特徵，可使用一背接觸點、背連接結構，其中在任何參考文獻中的任何所描述之結構內，該矽晶薄膜130作為一矽晶基板。在實施此等技術時，將觀察到該前結構已經完全形成，且於該太陽能電池的前側或向陽側上帶有一隨機紋理化表面以及一N+摻雜區域，其邊界為該摻雜層120目前與犧牲層112的接合處。
    於特定實施例中，產生該接觸點結構140所需要的溫度步驟，可用以完成從該摻雜矽晶層120推動摻雜劑進入該N+層124或該矽晶薄膜130。於某些實施例中，來自該摻雜矽晶層120的摻雜劑可透過該N+層124推動進入矽晶薄膜130，或於其他實施例中，因為該N+層124已經省略，該摻雜劑可直接地被推動而進入該矽晶薄膜130。因此，習於此技藝者其中之一可理解，若足夠的溫度程序於接觸點結構140的形成期間出現，於他們各自的形成的步驟期間，並不必要完全地推動且啟動該摻雜矽晶層120、N+層124或矽晶薄膜130中的摻雜劑。
    因此，第8圖例示一完整形成接觸點結構140。雖然顯示此等結構的一個實施例，亦可使用不偏離在此敘述之發明技術的其他實施例的結構。第9圖例示一載體元件160可接合至矽晶薄膜130的後側之暴露表面。例如，該載體元件160可接合至絕緣層148、或接觸點插頭150、或接合至兩者。載體元件160可為任何裝置或結構，其具有足夠的剛性，且於某些實施例中具有平坦度，以於後續分離步驟期間支撐該太陽能電池。因此，於某些實施例中，該載體元件160可為一塑膠表面或一金屬表面等等。於某些實施例中，該載體元件160可接合至多個電池而將他們全部分離。該載體元件160可使用可溶性或可逆性接合媒介或黏膠。於特定實施例中，可形成一永久接合，包括非永久的接合但不具有對應的剝離媒介者。
    第10圖例示分離步驟，其中犧牲層112部分地或完全地銷毀，將該薄矽晶太陽能電池190從該矽晶基板100釋放。此等分離可藉由使用例如，一選擇性的蝕刻程序而完成，包括濕蝕刻程序。於特定實施例中，該犧牲層112藉該矽晶基板100維持以重複使用。於此等實施例中，包含該犧牲層112的表面可在重新使用之前清洗或清潔。於其他實施例中，該犧牲層112完全地溶解，因此若該矽晶基板將需要重複使用，可形成一個新犧牲層112。於特定實施例中，可不在分離程序的期間移除該犧牲層112的部分，其可在後續銷毀。因此，該犧牲層112於未來的製造步驟中不會被重複使用，但他不需要在分離程序期間完全移除。於某些實施例中，使用選擇性的蝕刻劑不會侵蝕該薄矽晶太陽能電池190的組件。
    因此暴露該摻雜矽晶層120的表面。此表面可在從犧牲層112分離之後清洗或清潔。該摻雜矽晶層120現在形成了該薄矽晶太陽能電池190向陽側之上的最上層。第11圖例示可於摻雜矽晶層120上形成一ARC層170，加強了該薄矽晶太陽能電池190的性能。於特定實施例中，可形成一背側ARC或BARC以作為形成該接觸點結構140之程序的一部分。
    於特定實施例中，可省略一個或多個製造步驟。例如，在該摻雜矽晶層120與該N+層124兩者皆省略時，直接於該犧牲層112上形成矽晶薄膜130的前表面。於此等實施例中，可在一ARC步驟之前或同時執行薄矽晶太陽能電池190的前側鈍化。於特定實施例中，該前側的鈍化或該矽晶薄膜130之暴露側的鈍化，可在將其從犧牲層112分離之後執行。
    如第11圖所顯示，可透過任何所欲剝離程序，從該薄矽晶太陽能電池190釋放該載體元件160。此等剝離程序可包括一溶劑或蝕刻劑，侵蝕將薄矽晶太陽能電池190與載體元件160耦接之黏膠或接合媒介。於特定實施例中，可清潔薄矽晶太陽能電池190的背側，以移除接合程序殘餘的黏膠。該薄矽晶太陽能電池190現在可以做更進一步的加工，諸如穿線、互連、結合入一太陽能模組等等。於某些實施例中，在製造程序中，該前ARC與BARC步驟可同步地於此時間點執行。ARC或BARC材料可包括氮化物，諸如矽化氮，使用一遠距電漿沉積技術沉積。
    可以看出該薄矽晶太陽能電池190的製造已經不需要傳統產生的太陽能晶圓、移除了產生矽錠與切片之可能較昂貴的附加步驟。
    可以理解本製造技術的另一優點特徵為矽晶薄膜130的紋理前表面之形成，特別是紋理摻雜矽晶層120且/或N+層124。於某些太陽能電池製造程序期間，電池的前表面之紋理化包括用於前與後表面兩者之一蝕刻步驟。於某些實施例中，該接觸點結構的形成步驟必須供應對後表面、接觸點表面的一破壞性蝕刻。因此，於紋理化蝕刻期間，某些技術形成保護結構，用以保護該後表面之敏感特徵。具有預紋理之前表面、目前暴露之摻雜矽晶層120、可產生接觸點結構140而不供應破壞性的紋理化蝕刻步驟。將此考量移除可降低形成該接觸點結構140的成本。於此等實施例中，對後側接觸點形成需要破壞性紋理化步驟，亦可形成一平坦犧牲層、摻雜矽晶層120、N+層124與矽晶薄膜130。僅在從犧牲層分離後，摻雜矽晶層120才可被紋理化，包括後側之紋理化，以準備一BARC加工。
    第12與13圖例示用於薄矽晶太陽能電池之製造的初始化步驟的一替代程序實施例中的步驟。如第12圖所示，該矽晶基板200本身可具有一紋理化表面。於某些實施例中，可摻雜此紋理化表面以幫助其作為一犧牲層來使用。於該矽晶基板200頂部，可接著共形形成一摻雜矽晶層212，將該紋理形狀給予該摻雜矽晶層212。藉此，該矽晶基板200的上表面可做為該犧牲層。於等同於顯示於第9、10圖中的一分離步驟的期間，可侵蝕該矽晶基板200的上表面，將該薄矽晶太陽能電池釋放。該矽晶基板200可維持其本身的紋理形狀、藉由形成一新摻雜矽晶層212於其之上，在清潔後允許重複使用。
    如先前所提及，製造程序的步驟可依照描述與例示順序完成，或於其他排列順序。例如，於製造步驟的一實施例中，在接觸點形構的形成完成之前，可藉由部分地或完全地銷毀該犧牲層，將該太陽能電池從矽晶基板分離。
    雖然在先前的詳細說明中陳述了至少一示範性實施例，可以理解存在著眾多數目的變異。亦可以理解在此描述的示範性實施例或實施例們並非意欲以任何方式限制本請求標的之範圍、應用性、或組態。相反的是，前述詳細說明將提供習於此技藝者一方便的路圖，以實施描述之實施例或實施例們。可以理解在不脫離申請專利範圍所界定的範圍中，對功能或元件的設置可做出許多變化，包括了已知的等效物以及在此專利申請案申請時的時間可預見之等效物。
    100‧‧‧矽晶基板
    102‧‧‧上表面
    110‧‧‧犧牲層
    114‧‧‧紋理化表面
    120‧‧‧摻雜矽晶層
    124‧‧‧N+層
    130‧‧‧矽晶薄膜
    140‧‧‧接觸點結構
    142‧‧‧氧化層
    144‧‧‧N摻雜多晶矽區域
    146‧‧‧P摻雜多晶矽區域
    148‧‧‧絕緣層
    150‧‧‧接觸點插頭
    160‧‧‧載體元件
    170‧‧‧ARC層
    190‧‧‧電池
    200‧‧‧矽晶基板
    212‧‧‧摻雜矽晶層
    10‧‧‧薄矽晶基板
    20‧‧‧輕度摻雜區域
    30‧‧‧重度摻雜區域
    40‧‧‧抗反射塗層(ARC)
    50‧‧‧接觸點結構
    4‧‧‧第一向陽側
    6‧‧‧第二向陽側
    54‧‧‧N摻雜區域
    56‧‧‧P摻雜區域
    58‧‧‧絕緣層
    60‧‧‧接觸點
    第1圖為根據本發明之一實施例的一薄膜矽晶太陽能電池之剖視圖；第2至11圖為根據本發明之一實施例製造的一太陽能電池剖視表示；以及第12至13圖為根據本發明另一實施例之製造步驟的剖視代表。
    100‧‧‧矽晶基板
    110‧‧‧犧牲層
    120‧‧‧摻雜矽晶層
    124‧‧‧N+層
    130‧‧‧矽晶薄膜
    160‧‧‧載體元件
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種製造一太陽能電池的方法，包含以下步驟：於一矽晶基板上形成一犧牲層；於該犧牲的基板頂部形成一摻雜矽晶層；於該摻雜矽晶層頂部形成一矽晶薄膜；於該矽晶薄膜上形成複數個交叉指形接觸點；將該等複數個交叉指形接觸點的每一者與一金屬接觸點接觸；以及將該犧牲層移除。
    [2] 如申請專利範圍第1項之方法，其中形成該犧牲層包含形成由矽與鍺組成之一犧牲層。
    [3] 如申請專利範圍第1項之方法，其中形成該矽晶薄膜包含將該矽晶薄膜磊晶地成長。
    [4] 如申請專利範圍第1項之方法，其中形成該等複數個交叉指形接觸點包含以一噴墨印表機沉積複數個摻雜劑來源。
    [5] 如申請專利範圍第1項之方法更包含在形成該摻雜矽晶層前，將該犧牲層的表面紋理化。
    [6] 如申請專利範圍第5項之方法，其中形成該摻雜矽晶層包含形成一層摻雜矽晶與該犧牲層的該紋理表面共形。
    [7] 如申請專利範圍第1項之方法，更包含在移除該犧牲層前，將該矽晶薄膜接合至一載體。
    [8] 如申請專利範圍第7項之方法，更包含在移除該犧牲層之後，將該矽晶薄膜從該載體剝離之步驟。
    [9] 如申請專利範圍第1項之方法，更包含在該摻雜矽晶層與該矽晶薄膜之間形成一輕度摻雜矽晶層之步驟。
    [10] 一種製造一太陽能電池的方法，包含以下步驟：於一矽晶基板的一頂表面上形成一犧牲層；將該犧牲層的暴露表面加工以形成一紋理化表面；在該犧牲基板的該紋理化表面頂部形成一重度摻雜矽晶層；在該重度摻雜矽晶層頂部形成一較少摻雜矽晶層；在該較少摻雜矽晶層頂部磊晶地成長一矽晶薄膜；於該矽晶薄膜頂部形成一交叉指形接觸點結構；將該矽晶薄膜接合至一載體；藉移除犧牲層而將該重度摻雜矽晶層從該矽晶基板分離；將該矽晶薄膜從該載體剝離；以及於該重度摻雜矽晶層上方形成一抗反射塗層。
    [11] 如申請專利範圍第10項之方法，其中磊晶地成長該矽晶薄膜包含磊晶地成長少於100微米厚度之一矽晶晶圓。
    [12] 如申請專利範圍第10項之方法，其中形成該重度摻雜矽晶層包含形成一少於2微米厚度的一矽晶層。
    [13] 如申請專利範圍第10項之方法，其中該矽晶基板包含複數個犧牲層，且形成該犧牲層包含有摻雜該矽晶基板的一頂表面，以形成一摻雜犧牲層。
    [14] 如申請專利範圍第10項之方法，其中於一矽晶基板的一頂表面上形成一犧牲層包含使用一CVD程序沉積該犧牲層。
    [15] 如申請專利範圍第10項之方法，其中形成該較少摻雜矽晶層包含驅動來自於該重度摻雜矽晶層的摻雜劑進入該較少摻雜矽晶層。
    [16] 一種藉由申請專利範圍第10項之方法所製造的太陽能電池。
    [17] 一種製造一太陽能電池之方法，包含以下步驟：於一矽晶基板上形成一犧牲層；於該犧牲基板頂部形成一摻雜矽晶層；於該摻雜矽晶層頂部形成一矽晶薄膜；於該矽晶薄膜上形成複數個交叉指形接觸點；以及將該摻雜矽晶層從該矽晶基板分離。
    [18] 如申請專利範圍第17項之方法，其中形成該犧牲層包含形成至少部分地由矽組成的一層。
    [19] 如申請專利範圍第18項之方法，其中將該摻雜矽晶層從該矽晶基板分離包含將該犧牲層暴露至一選擇性蝕刻劑。
    [20] 如申請專利範圍第17項之方法，其中形成該等複數個交叉指形接觸點包含：於該矽晶薄膜上形成一氧化層；以及於該氧化層上形成複數個摻雜多晶矽沉積物。
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